脫離金屬離子精餾塔是專為電子級(jí)濕化學(xué)品、半導(dǎo)體特氣、高純前驅(qū)體等對(duì)金屬離子有要求的物料設(shè)計(jì)的專用精餾設(shè)備，核心通過(guò)全流程無(wú)金屬接觸的材質(zhì)選型、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與工藝優(yōu)化，從源頭杜絕金屬離子的溶出、夾帶與污染，實(shí)現(xiàn)金屬雜質(zhì)含量降至ppt 級(jí)甚至亞 ppt 級(jí)，滿足 7N~11N 級(jí)半導(dǎo)體材料的純化需求，是芯片制造、化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)中超高純物料制備的核心裝備。
一、核心設(shè)計(jì)理念：從源頭斬?cái)嘟饘匐x子污染
傳統(tǒng)精餾塔因接觸物料部分采用金屬材質(zhì)（即便為 316L 不銹鋼），仍會(huì)存在微量金屬離子溶出，且金屬表面的吸附與解析會(huì)造成二次污染，無(wú)法滿足半導(dǎo)體 ppt 級(jí)的金屬離子管控要求。脫離金屬離子精餾塔的設(shè)計(jì)核心圍繞 **“全流程無(wú)金屬接觸"** 展開(kāi)，摒棄所有金屬材質(zhì)與金屬連接件，通過(guò)高純非金屬材質(zhì)的選型、無(wú)縫結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、惰性氛圍保護(hù)，消除金屬離子污染的所有可能環(huán)節(jié)，實(shí)現(xiàn) “零金屬溶出、零金屬夾帶"。
二、核心性能指標(biāo)：適配半導(dǎo)體超純要求
脫離金屬離子精餾塔的性能指標(biāo)遠(yuǎn)高于普通工業(yè)精餾塔，核心圍繞金屬離子含量、純度等級(jí)、雜質(zhì)脫除率展開(kāi)，滿足 SEMI C12/C18 等電子級(jí)材料標(biāo)準(zhǔn)：
金屬離子含量：?jiǎn)畏N金屬離子含量≤0.1ppt，總金屬離子含量≤1ppt，無(wú)重金屬（Fe、Cu、Ni、Cr）、半導(dǎo)體有害金屬（B、P、As、Sb）溶出；
物料純度：塔頂產(chǎn)品純度可達(dá) 7N~11N（99.99999%~99.999999999%）；
雜質(zhì)脫除率：水分脫除率≥99.999%，有機(jī)物雜質(zhì)（TOC）脫除至≤10ppb，固體顆粒≤0.01μm（顆粒數(shù)≤1 個(gè) /mL）；
操作穩(wěn)定性：連續(xù)運(yùn)行≥800h 無(wú)材質(zhì)老化、無(wú)密封泄漏，產(chǎn)品純度波動(dòng)≤±0.00001%；
無(wú)二次污染：全程無(wú)金屬接觸、無(wú)溶出、無(wú)吸附，物料與材質(zhì)無(wú)任何化學(xué)反應(yīng)。
三、適用場(chǎng)景：聚焦半導(dǎo)體超高純物料純化
脫離金屬離子精餾塔因材質(zhì)耐溫、耐壓特性，主要適用于中低沸點(diǎn)、無(wú)強(qiáng)腐蝕性的半導(dǎo)體超高純物料的純化，是芯片制造、化合物半導(dǎo)體、微電子器件生產(chǎn)中核心物料的專用純化裝備，典型應(yīng)用場(chǎng)景如下：
電子級(jí)高純?nèi)軇?/span>：異丙醇（IPA）、無(wú)水乙醇、丙酮、PGMEA、NMP 等，用于晶圓清洗、光刻膠剝離，要求金屬離子 ppt 級(jí)；
半導(dǎo)體高純?cè)噭?/span>：高純氨水、高純鹽酸（低硼）、等濕化學(xué)品，用于晶圓刻蝕、清洗；
高純電子特氣：硅烷（SiH?）、磷烷（PH?）、砷烷（AsH?）等輕烴類特氣，低沸點(diǎn)前驅(qū)體純化；
化合物半導(dǎo)體原料：三甲基鎵（TMGa）、三甲基銦（TMIn）等 MO 源前驅(qū)體（熱敏性物料），真空減壓下無(wú)金屬純化；
實(shí)驗(yàn)室超高純?cè)噭?/span>：ICP-MS/HPLC 等分析測(cè)試用空白試劑、標(biāo)樣溶劑，要求無(wú)金屬離子干擾。
